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数量
价格
总价
1
$3.7065
$3.7065
10
$3.1185
$31.1850
100
$2.5200
$252.0000
500
$2.2365
$1,118.2500
1000
$1.9215
$1,921.5000
2000
$1.8060
$3,612.0000
5000
$1.7325
$8,662.5000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | Cool MOS™ |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 170mOhm @ 10A, 10V |
| 功耗（最大） | 151W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-247 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 39 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1724 pF @ 100 V |
