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总价
1
$0.6405
$0.6405
10
$0.5565
$5.5650
100
$0.3780
$37.8000
500
$0.3150
$157.5000
1000
$0.2730
$273.0000
2000
$0.2415
$483.0000
5000
$0.2310
$1,155.0000
10000
$0.2100
$2,100.0000
25000
$0.2100
$5,250.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗（最大） | 45W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (3.15x3.05) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 38 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1784 pF @ 15 V |
