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总价
1
$0.8400
$0.8400
10
$0.7245
$7.2450
100
$0.5040
$50.4000
500
$0.4200
$210.0000
1000
$0.3570
$357.0000
2000
$0.3150
$630.0000
5000
$0.3045
$1,522.5000
10000
$0.2835
$2,835.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 40mOhm @ 12A, 10V |
| 功耗（最大） | 110W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-220 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2598 pF @ 30 V |
