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总价
1
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$0.4095
10
$0.3255
$3.2550
100
$0.1890
$18.9000
500
$0.1785
$89.2500
1000
$0.1260
$126.0000
3000
$0.1155
$346.5000
6000
$0.1050
$630.0000
9000
$0.0945
$850.5000
30000
$0.0945
$2,835.0000
75000
$0.0840
$6,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 15mOhm @ 5A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 6-DFN (2x2) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 873 pF @ 30 V |
