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总价
1
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$0.4200
10
$0.3570
$3.5700
100
$0.2520
$25.2000
500
$0.1890
$94.5000
1000
$0.1575
$157.5000
3000
$0.1365
$409.5000
6000
$0.1365
$819.0000
9000
$0.1260
$1,134.0000
30000
$0.1260
$3,780.0000
75000
$0.1155
$8,662.5000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 12mOhm @ 5A, 4.5V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 6-DFN (2x2) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 20 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1255 pF @ 10 V |
